配線層数の最小化を目指す多層再配線手法(システムLSI設計及び一般)
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概要
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プロセスの微細化の進展により, Deep-Submicron問題がより深刻になりマスク製造コストが急増している.そのため多品種少量生産を基本とするSoC設計開発において設計コストにマスク層数は, 大きく影響する.設計開発コストを削減するため既存の設計を修正することをJ.Congら[2]は, インクリメンタルレイアウトとして提唱しているが, マスク層数に関して我々の知る限り研究されていない.本論文において, 我々は, インクリメンタルレイアウトにもとづく再配線により, より配線マスク層数の少ないレイアウト結果を導き出す多層再配線手法を提案する.すでに我々の研究[11]では, 非HVルール(NHV)再配線により1)配線層間のヴィア数の削減, 2)配線距離の削減, 3)結線率の改善が図られることが期待されることを示した.本報告では, 同配線法に, マスク配線層数を削減する方法をあらたに加えることで, マスク層削減を目指す手法について述べる.本配線手法は, 配線層間における経路探索においてグリッドごとに特別な評価値をもたせることを特徴とし, マスク間を移動する経路の検索にペナルティを課すものである.本提案手法の効果をIBMO1の一部を用いたベンチマーク実験で確認したところ, マスク層数削減の効果が見られた.
- 一般社団法人情報処理学会の論文
- 2005-05-19
著者
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