韓国核融合実験装置用内部拡散法Nb_3Sn線材の開発
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2000-10-31
著者
-
田口 修
三菱電機
-
江川 邦彦
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
久保 芳生
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
永井 貴之
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
永井 貴之
三菱電機
-
梅村 敏夫
三菱電機(株)材研
-
若本 勝嘉
(財)工業所有権協力センター
-
平本 清
電力・産業システム事業所
-
田口 修
電力・産業システム事業所
-
北古賀 秀敏
電力・産業システム事業所
-
若本 勝嘉
電力・産業システム事業所
-
江川 邦彦
三菱電機
-
久保 芳生
三菱電機
-
梅村 敏夫
三菱電機(株)先端技術総合研究所電力・産業システム事業所
-
梅村 敏夫
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
平本 清
三菱電機
-
北古賀 秀敏
三菱電機
関連論文
- ITER用内部拡散法Nb_3Sn量産素線の開発
- 29p-PS-58 酸化物超伝導体の交流特性
- 内部拡散法Nb_3Sn線材の低ヒステリシス損失化
- 内部拡散法によるNb_3Snフィラメントのブリッジング生成機構の解明
- 有限要素法によるNB3Snでのスズの拡散
- Bi系超電導体電流リードの開発(6)
- 高臨界電流密度Nb_3Sn線材の開発
- 高電流密度Nb3Sn線材の構成
- 内部拡散法Nb_3Sn線材のJ_cの高磁界特性
- 高J_c内部拡散法Nb_3Sn線材の開発(その2)
- 高銅比高J_c内部拡散法Nb_3Sn線材の開発
- 韓国核融合実験装置用内部拡散法Nb_3Sn線材の開発
- 高J_c内部拡散法Nb_3Sn線材の開発
- SMES用機械式永久電流スイッチの開発
- SMES用機械式永久電流スイッチの開発
- Nb_3Sn線材のJ_c-圧縮歪特性の評価
- 三層構造Nb-Ti超電導線の直流臨海電流試験方法の標準化への提案
- 曲げと引張り歪印加時におけるNb_3Sn線材のI_c劣化率の導出
- 企業における標準知財戦略--三菱電機の取り組み (特集:標準と知的財産)
- CVD法による200V級高温超電導限流素子
- 放射状にフィラメント配置されたNb_3Sn線材の超伝導特性 : 高J_c且つ低ヒステリシス損失線材の開発
- 放射状にフィラメント配置されたNb_3Sn線材のJ_c-T特性
- 低ヒステリシス損失高臨界電流密度Nb_3Sn線材の開発
- 放射状にフィラメント配置されたNb_3Sn線材の超伝導特性
- 放射状にフィラメント配置されたNb_3Sn線材の超伝導特性 : 高J_c且つ低ヒステリシス損失線材の開発
- 内部拡散法によるNb_3Sn超電導線材の開発
- Nb_3Sn超電導線を用いた実験用外鉄形超電導変圧器の試作実験
- Nb_3Sn導体使用によるSMESの低コスト化の可能性
- リアクト&ワインド(R&W)法による低コストNb_3Snマグネットの開発
- リアクト&ワインド(R&W)法によるNb_3Snコイルの開発 : Nb_3Sn/Nb-Ti複合コイル
- 曲げと引張り歪印加時におけるNb_3Sn線材のIc劣化率の導出
- 曲げと引張り歪印加時におけるNb_3Sn線材の中立軸移動量の導出
- PVF絶縁を施したリアクト&ワインド(R&W)法によるNb_3Snコイルの開発
- PVF絶縁を施したリアクト&ワインド(R&W)法による低コストNb_3Snコイルの開発(3)
- PVF絶縁を施したリアクト&ワインド(R&W)法による低コストNb_3Snコイルの開発(2)
- PVF絶縁を施したリアクト&ワインド(R&W)法による低コストNb_3Snコイルの開発(1)
- 電力機器応用を目指した酸化物系超電導線材の開発
- 液体ヘリウムを使わない伝導冷却方式のクライストロン用超電導マグネット
- マイクロモータ用Nd-Fe-B薄膜磁石の検討
- 伝導冷却方式超電導マグネット用電流リ-ドの開発(酸化物超電導体電流リ-ドの試作と検討)
- Nd-Fe-Bスパッタ薄膜の内部組織の観察
- 1p-PS-108 YBa_2Cu_3O_のV-I特性(低温(酸化物超伝導体))