直線状 TaC フィラメントを使った熱フィラメント CVD 法による大面積基板へのダイヤモンドの合成
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概要
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Diamond was deposited on a large-area substrate (SiAlON: 100×30×5mm, deposition surface: 100×30mm) by hot-filament CVD with using a straight 140mm-long TaC filament under H<SUB>2</SUB>-3%CH<SUB>4</SUB> at 25 Torr for 130min, and the morphology, quality and thickness of the film were examined by SEM and Raman spectroscopy. No tension was applied to the filament during heating up to 2600°C for diamond deposition and no visible deformation of the filament after deposition was observed. The deposited film showed the clear facet and Raman peak of diamond all over the deposition surface. Uniformity of film thickness is good in the longitudinal direction of the filament but poor in the transverse direction. Deposition rates were about 4μm/h at the center nearest the filament and about 1μm/h at the edge farthest from the filament.
- 社団法人 粉体粉末冶金協会の論文
- 2001-10-15
著者
-
竹平 勝臣
広島大学大学院工学研究科物質化学システム専攻
-
筒本 隆博
広島県立総合技術研究所 西部工業技術センター
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筒本 隆博
西部工業技術センター
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筒本 隆博
広島県立西部工業技術センター
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竹平 勝臣
広島大学大学院工学研究科
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