溶液気化CVD法によるDRAM用高誘電率キャパシタ膜形成技術の開発
スポンサーリンク
概要
著者
-
内川 英興
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
川原 孝昭
三菱電機株式会社先端技術総合研究所プロセス基礎技術部
-
松野 繁
三菱電機株式会社先端技術総合研究所金属・セラミックス技術部
-
渡井 久男
三菱電機株式会社先端技術総合研究所金属・セラミックス技術部
-
木ノ内 伸一
三菱電機株式会社先端技術総合研究所薄膜応用技術部
-
松野 繁
三菱電機株式会社先端技術総合研究所エネルギーデバイス技術部
関連論文
- ITER用内部拡散法Nb_3Sn量産素線の開発
- 5.表面微小凹凸構造による高効率多結晶シリコン太陽電池(次世代シリコン太陽電池製造のためのプラズマ技術)
- CSD(Citric Spray Drying)法によるリチウムイオン二次電池用正極活物質の開発
- 充放電に伴うLiNiO_2活物質結晶の破壊
- 内部拡散法Nb_3Sn線材の低ヒステリシス損失化
- 内部拡散法によるNb_3Snフィラメントのブリッジング生成機構の解明
- 溶液気化CVD法によるDRAM用高誘電率キャパシタ膜形成技術の開発
- 太陽電池素材の高速多点微細加工
- 遮蔽形高温超伝導コプレーナ線路共振器
- 石英導波路型グレーティングの作製及び評価
- CVD法による200V級高温超電導限流素子
- 高効率多結晶シリコン太陽電池の開発 (特集 光新時代を切り拓く)
- 高効率多結晶シリコン太陽電池