GaAsおよびSi中のErの4f殻発光強度の増強

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 応用物理学会の論文
• 1996-02-10

著者

• 高幣 謙一郎

  Ntt基礎研究所

関連論文

• 30p-YB-6 MeV Heイオンに対する GaAs阻止能の衝突径数依存性
• 3p-B-14 MeV Heイオンに対する阻止能の衝突径数依存性
• GaAsおよびSi中のErの4f殻発光強度の増強
• 30p-YS-8 イオン散乱によるGaAs:Er(MBE)の構造決定
• 29a-YS-6 MeV Heに対する阻止能の衝突径数依存性
• 13p-Q-14 軸チャネリングするMeV He^+イオンに対する阻止能
• 希土類添加3-5族半導体--結晶成長とf殻発光機構

スポンサーリンク