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Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn | 論文
- 有機EL現象を用いた交流電界下でのキャリア注入過程の評価と解析(有機材料・一般)
- 22aTQ-2 CeRhIn_5の軟X線角度分解光電子分光(光電子分光・放射光真空紫外分光,領域5,光物性)
- 24aXJ-4 軟X線角度分解光電子分光によるCa_Sr_RuO_4のフェルミ面3次元構造および表面電子状態(Ru系,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 19pWF-6 Ca_Sr_RuO_4の軟X線角度分解光電子分光によるバルクフェルミ面・スペクトル形状(19pWF Ru系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aTK-13 遍歴電子強磁性体Co_2Cr_Fe_xGaの軟X線及び硬X線光電子分光(光電子分光(超伝導体・強相関係),領域5,光物性)
- 22aPS-12 ハーフメタル特性を示すホイスラー化合物Co_2CrGaの軟X線光電子分光(領域3ポスターセッション(f電子,遍歴,化合物,酸化物,磁性一般,表面・界面),領域3,磁性,磁気共鳴)
- 22aTQ-4 FeSb_2のバルク敏感高分解能光電子分光(光電子分光・放射光真空紫外分光,領域5,光物性)
- 23aPS-42 Ce(Fe_Co_)_2の内殻吸収磁気円二色性(23aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24pYH-11 重い電子系YbCu_2Si_2の軟X線光電子分光(光電子分光(表面・超薄膜・低次元物質),領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aTK-12 V_3Si固体における光電子反跳効果(光電子分光(超伝導体・強相関係),領域5,光物性)
- 22aTQ-3 重い電子系CeRu_2Si_2の軟X線角度分解光電子分光によるバンド構造の温度変化(光電子分光・放射光真空紫外分光,領域5,光物性)
- Observation and Analysis of Tunneling Properties of Single Spherical Nanocrystalline Silicon Quantum Dot (Special Issue: Solid State Devices & Materials)
- Room temperature negative differential conductance due to resonant tunneling through a single nanocrystalline-Si quantum dot
- HfO_2薄膜成長過程の分光エリプソメトリによるその場観察と第一原理計算との比較(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 21世紀の単電子デバイス
- 電子材料-ナノシリコンとネオシリコン
- ULSI技術は電気化学の時代
- Single Electron Memory Devices Based on Plasma-Derived Silicon Nanocrystals
- Electron Transport in Nanocrystalline Si Based Single Electron Transistors
- Single-Electron Tunneling Devices Based on Silicon Quantum Dots Fabricated by Plasma Process
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