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Radio Frequency Devices Division, AUK | 論文

• Selective epitaxial growth of SiGe layers with High aspect ratio mask of dielectric films (Electron devices: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• Stress effect analysis for PD-SOI pMOSFETs with undoped-Si0.88Ge0.12 heterostructure channel (Electron devices: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• Selective epitaxial growth of SiGe layers with High aspect ratio mask of dielectric films (Silicon devices and materials: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• Stress effect analysis for PD-SOI pMOSFETs with undoped-Si0.88Ge0.12 heterostructure channel (Silicon devices and materials: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• Selective Epitaxial Growth of SiGe Layers with High Aspect Ratio Mask of Dielectric Films
• Stress Effect Analysis for PD SOI pMOSFETs with Undoped-Si_Ge_ Heterostructure Channel

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