スポンサーリンク
Ntt Lsi研 | 論文
- 高エネルギーイオンビームによる低温単結晶化(前編) : 実験結果を中心として
- 3.10 金属on半導体
- 超高速化合物半導体ICの研究開発 (〔特集〕超高速化合物半導体IC技術)
- 携帯機器用低電力LSI技術 (国際シンポジウム′94パ-ソナル通信の展開と技術展望)
- 0.5μmCMOS/BiCMOSフルカスタムLSI設計製造技術 (0.5μmCMOS/BiCMOSフルカスタムLSI設計製造技術)
- 半導体超薄膜と量子井戸
- ULTIMATEのソフトウエア技術 (VLSI試験技術--500MHz VLSIテストシステム"ULTIMATE")
- X線マスク (SOR発光技術)
- 耐放射線性強化CMOS/SIMOX技術 (イオン注入による素子分離技術--SIMOX技術)
- 結晶成長の実験キットに挑戦!
- まえがき(LN,LT結晶の育成と光損傷)
- 29aA10 NdGaO_3単結晶の育成と評価(融液成長IV)
- 結晶工学分科会
- 酸化物結晶の成長
- 多ピンMCM用移動プローブ型テストフィクスチャ
- 大容量DRAMプロセス技術の展望
- ガスパフプラズマX線源 (X線顕微鏡特集号)
- X線縮小投影露光光学系の設計 (放射光応用技術)
- 信頼性の課題と展望
- 極薄酸化膜MOS界面の界面準位評価 : BT試験による界面準位発生のゲート膜厚依存性