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Ntt Lsi研究所 | 論文
- 3p-YE-2 STM電界蒸発により作製した微小構造をもつ分割ゲート細線 : (2)クーロンブロッケイドとコンダクタンスのテレグラフスイッチング
- 3p-YE-1 STM電界蒸発により作製した微小構造をもつ分割ゲート細線 : (1)微小構造の作製法
- 伝播遅延を考慮したInAlAs/InGaAs HEMT SCFLインバータ遅延時間解析
- 「光送受信用アナログフロントエンドLSIの現状と将来」: FTTH、SDH/SONET、ファイバチャネル、多ch光接続 多様化するアプリケーションの中で回路の共用化は可能か?
- EOサンプリングによるペン型ハイインピーダンスプローブ
- EOSによるハンディ型ハイインピーダンスプローブ
- 光電気融合型超高速パルスパタン発生システムとHEMT分布アンプのオンウェハー大信号評価への応用
- 環状配線を用いたクロック分配手法の検討
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- 直列接続の共鳴トンネルデバイスを用いた量子機能回路
- 直列接続共鳴トンネル素子のスイッチング制御に基づく機能可変論理ゲート
- MOSFETにおけるキャリア・ホット化現象の理論的解析
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
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- InP HEMTによる64Gbit/s MUX/40Gbit/s DEMUX IC
- SA-9-1 AlGaAs/GaAs HBTの信頼性(SA-8. ブロック暗号の攻撃法とその対策,シンポジウム)
- p^+n接合を用いた共鳴トンネルトランジスタの電流変調機構とその応用
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