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Nttエレクトロニクス株式会社 | 論文
- ETS-VIII搭載用MMIC化ビーム形成回路の特性
- 衛星搭載にむけたフェーズドアレー給電用マルチビーム形成回路網 : 小型・軽量・低消費電力のための新規技術
- フェーズドアレイBFN小型化実装技術
- InP/InGaAsHBTプロセスに完全整合する超広帯域pin-PD
- C-3-36 高濃度Tm添加TDFAの高入力時WDM増幅特性
- 超広帯域テルライトラマンアンプの増幅特性
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- 超広帯域テルライトラマンアンプの増幅特性
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- C-3-38 980 nm帯励起EDTFAの雑音特性
- C-3-37 L帯テルライト系EDFAの利得制御性
- 1480-1510nm帯高濃度Tm添加光ファイバ増幅器
- C-3-117 アンプ用テルライトファイバモジュールの信頼性
- 1581-1616nmに増幅帯域を有するテルライトEDFA
- 1.58-μm帯Er^添加テルライトファイバ増幅器の温度依存性
- 高濃度Tm^添加光ファイバ増幅器の増幅特性
- C-3-36 E帯ツリウム添加光ファイバ増幅器(光増幅器,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- 利得クランプと励起光パワー制御を組み合わせたツリウム添加光ファイバ増幅器の新制御法(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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