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Nec光・超高周波デバイス研究所 | 論文
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- 5a-C-10 ^Cの超許容フェルミベータ崩壊
- 5a-C-8 ^Bi γ線相対強度の精密測定
- SC-5-2 対称マッハツェンダー全光スイッチと全光信号処理
- C-3-118 対称マッハツェンダ型全光スイッチの位相バイアス制御方式
- C-3-5 ハイブリッド集積SOAG小型モジュールの光スイッチング特性
- ドライバ回路内蔵ハイブリッド集積8チャンネルSOAGアレイレセプタクルモジュールの小型/低消費電力化
- AlGaN/GaN HJFET における低抵抗コンタクト形成とK帯高出力特性
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
- SC-7-11 AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波特性
- Sic基板上AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- SC-5-6 準ミリ波帯0.3μmマルチゲートフィンガーAlGaN/GaN HJFET
- C-10-20 AlGaN/GaN HJFETのマイクロ波電力特性
- [招待論文]マイクロ波帯高出力AlGaN/GaN HJFET
- 高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構の解明とpバッファ層による耐圧向上
- Ku帯オンチップマッチシリコンMOSFET MMIC
- C-2-30 Ku帯オンチップマッチSi MOSFET MMIC