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NTT-AT | 論文
- 25pXL-14 GaAs/AlGaAs二次元電子系におけるピエゾ電圧効果(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aXB-1 量子ホール系における歪効果と電子系によるエネルギー散逸(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 共鳴多光子イオン化スパッタ中性粒子質量分析法によるSi/Ti多層膜の深さ方向分析--SIMS/SNMSによるマトリックス効果の検証 (第29回表面科学学術講演会特集号(2))
- 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
- PCa10 ホログラフィック高分子分散液晶(HPDLC)への立体像記録
- PCa09 高分子・液晶複合体の導光照明下における光学特性
- 18pYJ-7 少数電子を含むダブルドットの電気伝導特性
- 24aE-8 ナノスケール磁性ドットアレイの作製と磁気特性
- 半影バックライト法によるx線イメージング
- 25pXL-4 GaAs核スピン高偏極デバイスにおける核四重極相互作用(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aYC-3 GaAsナノデバイスを用いたν=2/3分数量子ホール状態におけるNMRスペクトルの観測(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29pYG-10 非対称ポテンシャルによる核スピン緩和速度の増大(量子ホール効果)(領域4)
- 28pYG-5 2層系v=1状態の整合・非整合相転移と磁気抵抗の2つの極小(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
- 28pYG-4 2層系量子ホール状態における面内磁場方向に依存した縦抵抗の異方性(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
- 22aTL-10 ナノ構造中の分数量子ホール電子による核スピンの制御
- 22aTL-9 非対称ポテンシャルによるν=2/3 核スピン偏極抑制効果の電流依存性
- 22aTL-8 ν=2/3 における単一ポテンシャル障壁によるヒステリシス
- 21pTL-5 トンネリングギャップの大きい 2 層系 v=1 量子ホール状態における励起エネルギー
- 31aZP-8 2 層系量子ホール状態における準位交差-反交差現象
- 31aZP-7 結合量子細線の磁場中電気伝導特性