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NTTフォトニクス研 | 論文
- 1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析 (電子部品・材料)
- スパイクドーピングにより低電圧化した共鳴トンネルダイオードテラヘルツ(0.8-0.9THz)発振器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 高耐圧InP HEMTによる125GHz,140mW出力ミリ波パワーアンプ : 120GHz帯広帯域無線の実用化へ向けて(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- InAlPをキャリア供給層に用いたHEMT構造の成長
- InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送 (光エレクトロニクス)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送 (フォトニックネットワーク)
- 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- P2-17 GaN SAWデバイスにおけるサイドゲート効果(ポスターセッション2(概要講演))
- C-10-12 BCB層間膜配線とInP系HEMTを用いたSCFLスタティック分周器
- 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
- BCB層間膜を用いた配線の高速伝播特性
- InAlAs/InGaAs/InP HEMTを用いたダイナミック分周器の遅延時間解析
- C-10-1 80 Gbit/s InP HBT 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- B-10-70 複数チャネル可変光分散補償器を用いた広波長範囲における高精度な40Gb/s級信号分散補償の光トランスペアレントネットワークへの適用検討(B-10.光通信システムA(線路),一般セッション)
- TLZ法による大型InGaAs単結晶の育成と半導体レーザーへの応用
- C-4-27 10Gb/s 1.55μm帯EADFBレーザの広温度範囲(-25-100℃)SMF 80km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(OCS20周年記念,超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
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