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NHK Science and Technical Research Laboratories | 論文
- X-ray Enhancement by Fuorescent Emission using the Plasma X-ray Source
- Water-Window X-ray Source Driven by an Ignitron Pulser
- A simple measurement of the pH of root apoplast by the fluorescence ratio method
- Influence of Mercury on Soybean Plants (Glycine max L.) at Low pH
- An Aluminum Influence on Root Circumnutation in Dark Revealed by a New Super-HARP (High-gain Avalanche Rushing Amorphous Photoconductor) Camera
- InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー光変調器の特性改善(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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- 五層非対称結合量子井戸の作製トレランスに関する理論検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
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- 非対称三重結合量子井戸における電気光学効果(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- C-4-20 InGaAs/InAIAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー型光変調器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- エレクトロニクス実装学会設立十周年を記念して(社団法人エレクトロニクス実装学会十周年記念)
- C-3-59 GaAs/AlGaAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)光位相変調器の評価(光スイッチ・変調器,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
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- 「応用物理」創刊75周年を記念して
- Electroabsorptive Properties of InGaAs/InAlAs Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well (FACQW)
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