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Kogakuin Univ. Tokyo Jpn | 論文
- C_6Caの層間電子超伝導(最近の研究から)
- 21pGP-3 Liドープグラフェン/SiCの高分解能ARPES(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pHL-9 ミニモット検出器を用いたスピン分解光電子分光装置の開発:III(23pHL 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質・新分光法),領域5(光物性))
- 20pGQ-1 Bi薄膜の超高分解能スピン分解ARPES(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pHL-1 単層及び多層グラフェンの高分解能ARPES(23pHL 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質・新分光法),領域5(光物性))
- Ferrielectricity in Chiral Smectic C_β of an Antiferroelectric Liquid Crystal
- Deflection of Light at the Boundaries between Ferroelectric and Antiferroelectric States in Chiral Smectic Liquid Crystals
- Optical Activity in Antiferroelectric Liquid Crystals
- Dielectric Relaxation Modes in the Phases of Antiferroelectric Liquid Crystals
- Phase Sequence in Smectic Liquid Crystals Having Fluorophenyl Group in the Core ( FERROELECTRIC MATERIALS AND THEIR APPLICATIONS)
- 23aWH-5 オーバードープBa_K_Fe_2As_2の高分解能ARPES(23aWH 鉄砒素系超伝導(光電子分光),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aRC-11 高分解能ARPESによるNa_xCoO_2の3次元電子構造のドープ量依存性(24aRC 光電子分光(超伝導・磁性・強相関),領域5(光物性))
- 23aWH-2 CaFe_2P_2の高分解能ARPES(23aWH 鉄砒素系超伝導(光電子分光),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- Analysis of Device Characteristics for InGaN Semiconductor Lasers
- Room Temperature Pulsed Operation of Nitride Based Multi-Quantum-Well Laser Diodes with Cleaved Facets on Conventional C-Face Sapphire Substrates
- The Influence of Surface Treatment on the Quality of Pd/Au Contacts to p-type ZnSe
- Schottky Barrier Height Reduction for p-ZnSe Contacts by Sulfur Treatment
- Surface Preparation Effects for Molecular Beam Epitaxial Growth of ZnSe Layers on InGaP Layers
- 26aWJ-11 CeSbの微細電子構造 : キセノンプラズマ発光ARPES(26aWJ f電子系一般・アクチナイド,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25aWX-3 Bi(111)表面のスピン分解微細電子構造(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
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