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Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics | 論文
- 負の電子親和力を有するn型半導体ダイヤモンドからの電界電子放出機構(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- Field Emission from Modified P-Doped Diamond Surfaces with Different Barrier Heights
- n型半導体立方晶窒化ホウ素単結晶からの電界電子放出機構(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)