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FUJITSU Ltd. | 論文
- 19pTB-11 メソ多孔体MCM-41に内包されたLaMnO_ナノ結晶の構造と磁気的特性 III(19pTB f電子系・化合物磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- Ge濃度を制御したSi_Ge_xの格子定数測定
- 収束電子回折法によるSiの電子密度分布解析
- 24pYK-10 収束電子回折法によるBaTiO_3強誘電相の静電ポテンシャル分布解析(24pYK 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- Local lattice parameter determination of a silicon (001) layer grown on a sapphire (1102) substrate using convergent-beam electron diffraction
- 21aYM-13 収束電子回折法によるLa_Sr_Mn_2O_7(x=0.525)の結晶構造の研究(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 収束電子回折法によるLaCrO_3の結晶構造・電子密度分布解析
- Lattice parameter determination of a composition controlled Si_Ge_x layer on a Si (001) substrate using convergent-beam electron diffraction
- 13pTJ-7 収束電子回折法による La_Sr_xCrO_3 (x=0.3) の電子密度分布の解析 II(電子線, 領域 10)
- 29pXK-8 チタン酸バリウムの180°分域のコントラストI(誘電体)(領域10)
- 28aXM-8 収束電子回折法による局所歪み測定法の研究IV(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 28aXM-7 収束電子回折法によるLa_Sr_xCrO_3の電子密度分布の解析(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 22aXB-5 収束電子回折法による局所歪み測定法の研究 III
- 22aXB-2 収束電子回折法による結晶構造精密化における構造パラメーターの誤差評価
- 22aXB-1 収束電子回折法による LaMnO_3 軌道秩序相の電子密度分布解析 III
- 28pSC-10 メソ多孔体SBA-15中のLa_Sr_xMnO_3ナノスケール結晶における特異なサイズ効果(28pSC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 30pXD-11 収束電子回折法による結晶構造精密化への並列計算の導入
- 25aXH-2 メソ多孔体MCM-41に内包されたLaMnO_ナノ結晶の構造と磁気的特性II(25aXH 酸化物磁性・化合物磁性・f電子系磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pWG-2 X線回折と収束電子線回折を用いたベータ型パイロクロア酸化物超伝導体の構造とラットリングの研究(21pWG パイロクロア(超伝導),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19aPS-55 収束電子回折法によるLa_Sr_Mn_2O_7 (x=0.525)電荷・軌道秩序相の電子密度分布の解析 II(19aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
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