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Division of Materials Chemistry, Faculty of Engineering, Hokkaido University | 論文
- 20aPS-22 スピネル型強磁性絶縁体を用いたMTJの作製と評価(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aXN-1 Fe/MgO/Fe強磁性トンネル接合の非弾性電子トンネル分光(薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,トンネル分光,領域3(磁性,磁気共鳴))
- CO+NH_3を用いたエッチングにより形成したTMR素子
- 22aQG-4 γ-Fe_2O_3を障壁層に用いたスピンフィルター型MTJ(22aQG スピントロニクス・微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- L1_0型垂直磁化膜におけるスピン注入磁化反転とスピンRAMへの応用可能性
- 19aYB-1 エピタキシャルFe(001)/MgO(001)/bcc-Co(001)磁気トンネル接合のトンネル磁気抵抗効果(薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- トンネル磁気抵抗効果のFe(001)電極膜厚依存性(薄膜)
- X線吸収及びX線磁気円二色性で評価したMgO(001)トンネル障壁界面Fe(001)単原子層の磁気状態
- 13aWB-8 単結晶 Fe/MgO/Fe(001) 接合における下部 Fe(001) 界面の磁気状態とトンネル磁気抵抗効果(薄膜・人工格子磁性, 領域 3)
- 18pTB-11 トンネル磁気抵抗素子の構造と伝導特性の相関(18pTB 磁気共鳴一般,実験技術開発,磁性一般,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22aQG-5 MgO-強磁性トンネルトランジスタ出力特性のショットキーバリア高さ依存性(22aQG スピントロニクス・微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24pWK-7 MgO-強磁性トンネルトランジスタのTMRとMC効果(24pWK 薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pWD-9 MgOトンネルバリアを持つ強磁性トンネルトランジスタの伝導特性(薄膜・人工格子磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 24aXN-2 超薄Fe(100)電極層を持つTMR素子の低温におけるTMR効果の異常(薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,トンネル分光,領域3(磁性,磁気共鳴))
- Al_2O_3を障壁層に用いたトンネル磁気抵抗薄膜における各層成長過程のSTM観察
- 超薄Fe(100)電極層を持つTMR素子の磁気抵抗効果
- 金属スピントロニクスの展開
- Synthesis and Dielectric-Magnetic Properties of Rare-Earth (La, Nd, Sm)-Modified Bi4Ti3O12
- 22pYJ-8 結晶性MgOトンネルバリアの精密構造制御とコヒーレントスピントンネル(領域9,領域7合同シンポジウム主題:精密に原子配列させた1nm構造体が示す特徴的な物性と展望,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aPS-17 γ-Fe_2O_3を用いたスピンフィルタ型MTJの作製と評価(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
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