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Department of Materials Science and Ceramic Technology, Shonan Institute of Technology | 論文
- Preparation and Dielectric Properties of SrBi_2Ta_2O_9 Thin Films by Sol-Gel Method
- 微量の硫黄および活性元素(Y, Hf)を添加した耐熱合金の1373Kにおける1800ks間酸化
- Electrical and Optical Properties of Si Doped GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy on (311) Substrates
- Disordering of Surface Regions in Si-Implanted Superlattices of GaAs/AlGaAs
- Fabrication of Submicron Grating Patterns Usinc Compositional Disordering of AlGaAs-GaAs Superlattices by Focused si Ion Beam Implantation
- Fabrication of Index-Guided AlGaAs MQW Lasers by Selective Disordering Using Be Focused Ion Beam Implantation
- SIMS Study of Si-Be Co-doping Effects for Suppression of Compositional Disordering in AlGaAs-GaAs Superlattices
- Fabrication of Index-Guided AlGaAs Multiquantum Well Lasers with Buried Optical Guide by Si-Induced Disordering
- Implantation Energy Dependence of Composilional Disordering in Si Implanted GaAs/AlGaAs Superlattices Studied by Secondary Jon Mass Speetrometry
- SIMS Study of Compositional Disordering in Si Ion Implanted AlGaAs-GaAs Superlattice
- 微量の硫黄を添加したAl_2O_3形成耐熱合金の1373および1473Kにおける高温酸化
- 微量の硫黄および活性元素を添加したAl_2O_3形成耐熱合金の1373および1473Kにおける高温酸化
- 液体窒素または空気中で冷却したAl_2O_3形成耐熱合金の酸化皮膜の剥離
- 微量の硫黄および活性元素を添加したFe-20Cr-4Al合金の1573Kにおける長時間酸化
- 微量の硫黄を添加した耐熱合金の高温酸化挙動
- 微量の硫黄を添加したFe-20Cr-4Al合金の高温酸化における硫黄の挙動
- 微量の硫黄および活性元素(Y, Hf)を添加した耐熱合金の1273Kにおける1800ks間酸化
- 帯域溶融法により硫黄を除去したAl_2O_3形成耐熱合金の高温酸化
- 微量の活性元素を添加したNi-20Cr-3Si合金のN_2-H_2O-HBr雰囲気における高温腐食
- Film Thickness Dependence of Dielectric Properties of BaTiO_3 Thin Films Prepared by Sol-Gel Method ( FERROELECTRIC MATERIALS AND THEIR APPLICATIONS)