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Department Of Electrical And Electronic Engineering The University Of Tokushima | 論文
- 20pHK-2 CuCl量子ドット集合系における励起子分子発光の超蛍光的時間特性II(20pHK 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 23aPS-2 高分子マトリックス中に分散した芳香族分子凝集体における強励起効果 : PVA・ペリレン系における永続的ホールバーニングの性質(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
- 20aHQ-5 薄膜における高温縮退四光波混合の理論解析(20aHQ 超高速現象・量子井戸,領域5(光物性))
- 20aHQ-4 CuCl薄膜における高温縮退四光波混合(20aHQ 超高速現象・量子井戸,領域5(光物性))
- 20pHK-4 ZnOマイクロ微小球によるレーザー発振II(20pHK 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 20pHK-3 ZnOナノ微粒子の作製と光マニピュレーション(20pHK 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 24aYJ-4 広帯域テラヘルツ時間領域分光による超伝導体MgB_2薄膜の測定(非線形光学・超高速現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aPS-59 超流動ヘリウム中におけるZnOナノ微粒子の作製(ポスターセッション,領域5,光物性)
- Discovery of Interacting Molecular Gas toward the TeV Gamma-Ray Peak of the SNR G 347.3-0.5
- 25aXB-6 ZnOマイクロ微小球によるレーザー発振(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
- 28pPSA-55 CuClにおける励起子分子二光子共鳴強励起下での発光時間分解測定(28pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 27aVA-1 CuCl量子ドット集合系における励起子分子発光の超蛍光的時間特性(27aVA 高密度励起現象,領域5(光物性))
- 21aYH-4 CuCl量子ドットにおける励起子及び励起子分子励起状態の閉じ込め効果(21aYH 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 24aYJ-3 テラヘルツから近赤外に及ぶ超広帯域時間領域分光法の開発(非線形光学・超高速現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aPS-15 CuClにおける励起子及び励起子分子の赤外誘起吸収スペクトル(ポスターセッション,領域5,光物性)
- Temperature and Illumination Dependence of AlGaN/GaN HFET Threshold Voltage(GaN-Based Devices,Heterostructure Microelectronics with TWHM2005)
- A Mechanism of Enhancement-Mode Operation of AlGaN/GaN MIS-HFET(GaN-Based Devices,Heterostructure Microelectronics with TWHM2005)
- Gamma Radiation Effects on the Ohmic Contact of AlGaN/GaN HEMTs
- Gate Leakage Reduction Mechanism of AlGaN/GaN MIS-HFETs
- Evaluation of Surface States of AlGaN/GaN HFET Using Open-Gated Structure(Compound Semiconductor Devices, Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)
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