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高知工科大学 総合研究所 マテリアルデザインセンター | 論文
- X線ルミネセンス強度の入射角依存性の測定及び新しい原子分解能ホログラフィーの可能性(原子をみる)
- 22aPS-71 スピネル型Mn酸化物薄膜の磁気的性質
- 非インジウム系酸化亜鉛透明導電膜の技術開発動向(21年度第1回研究会)
- 29pXF-3 希薄磁性半導体Ga_Cr_xNのCr2p励起軟X線発光,吸収分光(軟X線発光・散乱)(領域5)
- 21pTH-7 希薄磁性半導体 Ga_Cr_xN の N1s 軟 X 線発光・吸収分光
- 古き設備に見る知恵と誇り
- 酸化亜鉛透明導電膜：実用化への岐路
- ITO代替材料としてのZnO実用化研究開発の現状と課題
- ZnOベースの透明電極材料の開発 (特集 透明導電材料)
- プラスチック基板上に製膜された酸化亜鉛透明導電膜の構造特性、電気特性および光学特性
- 反応性プラズマ蒸着法によるZnO薄膜の特性と応用 (特集 酸化亜鉛の新展開(2))
- 酸化亜鉛の透明導電膜実用化に向けた技術開発 (特集 可能性広がる酸化亜鉛--実用化に向けた開発動向を探る)
- 酸化亜鉛透明導電膜の光学特性制御 (特集 光学薄膜)
- 酸化亜鉛透明導電膜
- ITO代替有力候補Ga添加酸化亜鉛透明導電膜
- 無添加酸化亜鉛薄膜の製膜初期過程の研究
- 酸素添加GeSbTe相変化メモリセルの研究(新型不揮発性メモリ)
- HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- レアメタル代替材料としての酸化亜鉛透明導電膜の可能性 (特集 レアメタルとくるま)