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静岡大学電子科学研究科 | 論文
- 25a-PS-70 Pb系超伝導体の光電子分光
- 酸素量を変えたBi_2Sr_2CaCu_2O_y超伝導体の光電子分光
- 2p-TC-1 Bi系超伝導体における真空加熱処理効果
- 31p-PS-63 Bi-O系超伝導体における電子状態
- 6p-ZA-4 Nd_Ce_xCuO_における光電子分光
- 次世代デバイス用ゲート絶縁膜としてのハフニウム系薄膜の表面分析法を用いた評価
- 電子分光法による界面の解析
- (NH_4)_2S_x溶液処理したInAs(lll)表面の研究
- (NH_4)_2S_x処理したInAs(111)A-(2×2)-S表面の構造解析
- X線光電子分光法(XPS)による(NH_4)_2S_x処理InSb(001)表面の研究
- Bi_2(Sr_1-_xLa_x)_2CoO_yセラミックの作製と電子状態の研究
- 高分解能X線光電子分光法(XPS)による(NH_4)_2S_x処理 GaAs(111)A,(111)B表面の研究(II)
- H_2S処理を行ったInP(001)の表面構造および電子状態
- 高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH_4)_2S_x処理InAs(001)表面の研究
- ターシャリブチル燐,トリエチル燐のSi(001)表面上での分解過程
- 高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH4)2Sx処理GaAs(001),(111)A,(111)B表面の研究
- (NH4)2Sx処理GaP(001),(111)A,(111)B表面の高分解能X線光電子分光(XPS)による研究
- 電子分光法によるトリメチル燐,トリエチル燐のSi(001),GaP(001)への吸着と分解の研究
- Si表面におけるターシャリブチルホスフィン(TBP)の吸着と分解過程の研究
- 高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH_4)_2S_x処理InP(001)表面の研究