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静岡大学・電子工学研究所 | 論文
- 共振器構造を用いた蛍光体の発光特性 : レーザ蛍光体の実現を目指して
- 共振器構造を用いた蛍光体の発光特性 : レーザ蛍光体の実現を目指して(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 1) MOSFETのサブスレッショルド特性を利用した対数的光電変換素子(〔情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- 5)オプティカルフロー検出の精度向上とデバイスへの応用(情報入力研究会)
- 7)電界放出微小エミッタを用いた高感度光検出素子 : 広ダイナミックレンジ化
- X線検査装置向けフォトンカウンティング検出器 (特集 損傷や欠陥を見抜く非破壊検査)
- マイクロサイズの電子線筺筒の開発とその応用 (シリコン材料・デバイス)
- マイクロサイズの電子線筺筒の開発とその応用 (電子デバイス)
- RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 13)集積型EL素子の作製と発光特性(情報ディスプレイ研究会 : 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 酸化鉄ウィスカーの成長とそれを用いた電子源(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 酸化鉄ウィスカーの成長とそれを用いた電子源
- 1)a-Si : H/a-SiC : Hヘテロ接合SAM型フォトダイオードの光電流増倍(〔情報入力研究会情報ディスプレイ研究会コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- 2-8 増幅機能を有する撮像管ターゲット
- 2-6 注入増幅形アモルファスシリコンイメージセンサー
- a-SiC : H膜の高精細撮像デバイスへの応用
- 静岡大学21世紀COE : ナノビジョンサイエンスの拠点創成(MPλ(Lambda)S,フォトニックネットワーク/制御,光波長変換,スイッチング,PON,一般)
- 静岡大学21世紀COE : ナノビジョンサイエンスの拠点創成(MPλ(Lambda)S,フォトニックネットワーク/制御,光波長変換,スイッチング,PON,一般)
- 静岡大学21世紀COE : 「ナノビジョンサイエンスの拠点創成」(MPλ(Lambda)S,フォトニックネットワーク/制御,光波長変換,スイッチング,PON,一般)
- 静岡大学21世紀COE : ナノビジョンサイエンスの拠点創成
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