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静岡大学・電子工学研究所 | 論文
- CdTe高エネルギー放射線検出素子の作製とイメージングデバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- CdTe高エネルギー放射線検出素子の作製とイメージングデバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 8)シリコンMTIS三端子スイッチ素子(テレビジョン電子装置研究会(第67回) 画像表示研究会(第23回) 同合)
- 2)SiMTIS素子列の特性と走査回路への応用((第49回テレビジョン電子装置研究会 第7回画像表示研究会)合同研究会)
- 9)1次元集積化スキャニスタの特性(第41回テレビジョン電子装置研究会)
- 5)α-Si : H/α-Si_Cx : H傾斜超格子構造を用いた光電変換膜による光電流増倍(情報センシング研究会)
- Si : H/a-Si_C_x : H傾斜超格子構造を用いた光電変換膜による光電流増倍
- ガス相触媒化学気相蒸着法による鉄ナノ粒子形成とカーボンナノチューブの密度制御
- nc-Si MOSカソードの電子放射特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- nc-Si MOSカソードの電子放射特性
- 電界集中係数緩和を用いた放射電流の安定化(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- シリコン微結晶面放射型冷陰極の電子放射特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- Si微小電子源とスミス・パーセル放射光応用 : 微小電子源を用いた新光源の提案(光・電子ナノデバイス)
- Si微小電子源とスミス・パーセル放射光応用 : 微小電子源を用いた新光源の提案(光・電子ナノデバイス)
- シリコン電界電子放射陰極の放射電子のエネルギー分析(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 半導体微小冷陰極の電子放射特性と高機能化
- MOSトンネルカソードからの電子放射特性
- GaAs/AlAs超格子のサブバンド特性とフィールドエミッタへの応用
- GNF-FEDにおける電子軌道シミュレーションのための冷陰極エミッタモデルの検討
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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