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電子技術総合研究所材料科学部 | 論文
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- 4p-A-1 S-Se融液のラマンスペクトルとその構造
- 1p-PS-12 S-Ge融液のラマンスペクトル
- 13a-E-1 S-Ge融液のラマンスペクトルとガラス構造の形成
- 普遍と個性
- シリコンカーバイド(SiC)半導体によるパワー素子研究開発の現状
- プラズマトーチCVD法によるNd-Al共ドープSiO_2ガラス合成と蛍光特性
- ワイドギャップ半導体 : ハードエレクトロニクスと青色発光を目指して
- 24p-T-1 薄膜の物理と評価の現状
- 水素化アモルファスシリコンの電子状態
- 特集 最近の半導体と製造装置(1)パワーデバイス用SiC半導体の材料開発
- ハードエレクトロニクスの展開 (特集 材料科学)
- プラズマト-チCVD法による活性イオンド-プ石英ガラスの合成とその物性 (ガラス)
- 第14回アモルファス半導体国際会議に出席して
- 6. 夢のメモリデバイス 6-3 PHBメモリ (大規模データ処理を支えるエレクトロニクス : マルチメディア世界の到来に向けて)