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防衛大学校 応用物理学科 | 論文
- バイアスオフセット型CMOS線形トランスコンダクタの高性能化
- 適応バイアス技術を用いたバイアスオフセット型CMOSトランスコンダクタの高性能化
- 容量性非線形負荷のV-Q特性を用いた反射波とクロストークの再現手法
- 伝送線路に接続された容量非線形負荷の容量非線形性を考慮したクロストーク解析のための一定容量近似法の検討(若手研究者発表会)
- 局所負帰還を持つ線形トランスコンダクタのためのNIC分圧器(レイアウト,信号処理,LSI,及び一般)
- バイアスオフセット型トランスコンダクタのための単一電圧源によるレベルシフト回路
- トランスコンダクタンス及び動作範囲の変化に対応したバイアスオフセット型CMOSトランスコンダクタの線形性改善手法
- バイアスオフセット型CMOSトランスコンダクタの線形を改善する一手法
- 伝送線路に接続された容量非線形負荷のQ-V特性を用いたクロストーク解析
- 伝送線路に接続された可変容量ダイオード負荷の動的C-V特性
- 伝送線路に接続されたMOSFETの動的C-V特性の測定とそのクロストーク解析への応用
- 伝送線路に接続されたMOSFETの高速信号入力に対する反射波形の測定と解析
- A-1-4 MOSFETの動的C-V特性(A-1.回路とシステム,一般講演)
- A-1-3 入射信号の立ち上がり時間と可変容量ダイオードの動的C-V特性(A-1.回路とシステム,一般講演)
- A-1-1 2乗電流源を用いた線形トランスコンダクタの移動度の低下の影響を低減するための一手法(A-1.回路とシステム,一般講演)
- A-1-25 線形トランスコンダクタの移動度の影響を低減するための一手法(A-1.回路とシステム,一般講演)
- 移動度の低下により劣化したMOSトランスコンダクタの線形性を改善するための一手法(ネットワークプロセッサ,通信のための信号処理,符号理論,一般)
- 積分器の位相補償手法と差動信号入力積分器を用いた高周波連立チェビシェフ低域フィルタの構成
- 差動電流増幅器を用いたトランスコンダクタの線形化手法
- 適応バイアス技術を用いた低消費電力バイアスオフセット型トランスコンダクタの最適設計のための雑音解析
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