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阪大産研 | 論文
- 19aTG-8 硝酸酸化法で形成したSiO_2/SiC構造の表面・界面 : 水素処理の効果(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aYB-4 硝酸酸化法による低温生成SiO_2膜の微構造(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pYE-7 シアン化物イオンによるSi表面の金属脱離(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pWB-6 シアン化物溶液中での電気化学酸化法によるシリコンオキシナイトライド膜の低温創製(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15pXG-6 非エッチングシリコン洗浄液を用いたシリコン表面の重金属除去 (2) : 銅洗浄機構(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 15pXG-5 非エッチングシリコン洗浄液を用いたシリコン表面の重金属除去 (1) : 銅とニッケル(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 20aPS-14 化学的手法による SiO_2/Si 構造の低温形成と分光学的観測
- 29pPSA-7 化学的手法で形成した極薄SiO_2膜の物性とリーク電流低減
- 27aXE-10 白金の触媒作用を用いたSi/SiO_2界面の平坦化とリーク電流の低減
- 22aWB-8 バイアス印加XPS法を用いた6H-Sic界面準位の観測
- 27aW-4 シアン処理による多結晶シリコン中の欠陥準位の除去と光電変換素子の高効率化
- 21aYG-1 CeB_6における四重極子の磁場応答(四極子,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21pPSB-11 スピンパイエルス系CuGeO_3の不整合波数の温度変化の測定とその理論的解釈(領域3ポスターセッション,量子スピン系(一次元系),量子スピン系(二次元系),量子スピン系(クラスター系,および一般),フラストレーション系,磁気共鳴一般,実験技術開発,磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27aWE-13 CePの高磁場下の磁気構造 : 放射光X線回折(重い電子系(圧力効果/他),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22pRE-4 高エネルギーイオン照射によって誘起されたFe-Rh合金における微細磁気構造(放射線物理(固体内衝突・損傷過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 26p-O-3 ^1H(^N,αγ)^C核反応によるW(110)表面の水素吸着の測定
- 29a-S-11 ^1H(^N,αγ-1)^C核反応の共鳴エネルギー幅
- 27p-C-12 ^1H(^N, αγ_1)^C核反応によるW(001)表面の水素定量
- 2p-R-7 ^1H(^N,αγ)^C核反応によるW(100)表面の水素定量
- 層状ペロブスカイト類似型化合物Ba_(Pb_Cu_)O_の合成と物性
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