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阪大教養 | 論文
- 1a-BF-12 時間空間収束型TOF質量分析装置
- 2p-KD-10 重イオン反応生成核種のオンライン質量分離
- 31p-AG-4 標的イオン源装置のオンラインテスト
- 3p-RM-9 Indium Tin Oxide薄膜の低温における磁気抵抗異常
- 14a-E-4 Indium Tin Oxide薄膜のアンドーソン局在と2次元-3次元転移
- 21. 酸化インジウム薄膜のアンダーソン局在と負磁気抵抗(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
- 28a-M-7 Indium Tin Oxide薄膜のアンダーソン局在
- 12p-DL-2 シリコンの電子線照射欠陥の電子流密度依存性
- 27p-H-10 GaAs中のSi集合体の構造 II
- 高圧地球科学実験ステーション(BL04B1)の研究から
- 31p-M-2 ポーラスSiの赤外吸収とフォトルミネッセンスIV
- 25a-ZG-11 ポーラスSiの赤外吸収とフォトルミネッセンス III
- 30p-W-9 ポーラスSiの赤外吸収とフォトルミネッセンス II
- 1a-BJ-3 Hot electrons on the liquid ^4He surface III
- 4a-C-1 Hot Electrons on the Liquid ^4He Surface II
- 第 9 章プラズマ-壁相互作用の研究表面分析法からのアプローチ
- 4p-C-1 2次元ブラックホールのBRST形式による解析
- 26a-T-1 Ge, Siの電子線照射誘起欠陥の構造
- 3a-M-3 電子照射された半導体中の欠陥の空間分布
- 4a-TB-5 Geの電子照射損傷と点欠陥集合体