14a-E-4 Indium Tin Oxide薄膜のアンドーソン局在と2次元-3次元転移

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1983-09-13

著者

• 岡本 稔

  阪大教養

• 岡本 稔

  阪大・教養

• 大山 忠司

  阪大・教養

• 大塚 穎三

  阪大・教養

関連論文

• 3p-RM-9 Indium Tin Oxide薄膜の低温における磁気抵抗異常
• 14a-E-4 Indium Tin Oxide薄膜のアンドーソン局在と2次元-3次元転移
• 21. 酸化インジウム薄膜のアンダーソン局在と負磁気抵抗(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
• 28a-M-7 Indium Tin Oxide薄膜のアンダーソン局在
• 28p-A-17 Ge中の巨大電子-正孔液滴のマイクロ波吸収 II : サイズ共鳴現象と不純物散乱
• 27a-B-2 Geのフォトルミネッセンスの空間分解 II : 電子-正孔液滴のドリフト過程の不純物効果
• 14a-E-6 光励起Geの超音波吸収II
• 1a-F-4 Geのフォトルミネッセンスの空間分解
• 1a-KC-12 Ge中の電子-正孔液滴の超音波吸収
• 3a-D1-7 ZnをドープしたGe中の巨大電子-正孔液滴(3a D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトロン),半導体)

スポンサーリンク