14a-E-6 光励起Geの超音波吸収II
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1983-09-13
著者
関連論文
- 14a-E-4 Indium Tin Oxide薄膜のアンドーソン局在と2次元-3次元転移
- 21. 酸化インジウム薄膜のアンダーソン局在と負磁気抵抗(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
- 28a-M-7 Indium Tin Oxide薄膜のアンダーソン局在
- 28a-N-10 Ge/Zn中の束縛励起子 II
- 28a-N-9 Ge/Zn中の束縛励起子
- 2a-B-4 Ge/Zn中の束縛励起子(ルミネッセンス)
- 2a-B-3 Ge/Zn中の束縛励起子(遠赤外磁気吸収)
- 30a-C-5 半絶縁性GaAs中の電子・正孔プラズマからの発光
- 30a-C-4 励起子系の衝突解離過程 : 電場励起とマイクロ波励起
- 4a-E-6 InSbの衝突イオン化による自発振動に対する磁場効果 III
- 28p-G-16 Geにおける量子極限サイクロトロン共鳴と電子散乱 III
- 28p-G-15 InSbの量子極限でのサイクロトロン共鳴と共鳴線幅
- 28p-G-7 Ge中の衝突イオン化に対する遠赤外光効果
- 28p-G-6 強磁場下光励起Ge中での電荷担体の拡散
- 26a-G-4 光励起-半絶縁性GaAsの遠赤外吸収と超音波吸収
- 29a-B-7 半絶縁性GaAs中のEL2中心から励起された電子のサイクロトロン共鳴とマイクロ波光伝導
- 28p-A-17 Ge中の巨大電子-正孔液滴のマイクロ波吸収 II : サイズ共鳴現象と不純物散乱
- 28p-A-16 光励起ZnSeにおける正孔のサイクロトロン共鳴
- 28p-A-15 光励起Geにおける励起子と自由担体のダイナミックスII
- 28p-A-14 Geにおける量子極限サイクロトロン共鳴と電子散乱
- 27a-B-2 Geのフォトルミネッセンスの空間分解 II : 電子-正孔液滴のドリフト過程の不純物効果
- 14a-E-13 GaAsにおける電子の中性不純物散乱
- 14a-E-6 光励起Geの超音波吸収II
- 29p-N-7 光励起Geの超音波吸収
- 29p-N-6 p型III-V族半導体における電子易動度
- 29p-N-5 光励起InSbの遠赤外磁気光吸収 III
- 1a-F-4 Geのフォトルミネッセンスの空間分解
- 2a-A-4 Ge中の巨大電子-正孔液滴のルミネッセンス
- 1a-KC-12 Ge中の電子-正孔液滴の超音波吸収
- 2a-B-2 光励起InSbの不純物サイクロトロン共鳴
- 1a-B-12 GaAsのホットエレクトロン効果
- 1a-K-10 光励起InSbの遠赤外磁気光吸収 II
- 1a-K-9 EHL中の不純物による電子散乱
- 1a-K-8 Ge中のEHDの遠赤外磁気光吸収
- 3a-B-3 光励起InSbの遠赤外磁気光吸収
- 3a-B-2 電子正孔液滴の磁気振動
- 1a-B-12 中性でなくて中性に見える不純物散乱中心
- 2a GE-11 臨界温度付近の大液滴
- 2a GE-10 Ge中のEHDの不純物効果
- 5p-LT-6 光励起シリコンの磁気光吸収
- 1p-BJ-5 大液滴による磁気プラズマ吸収 (II)
- 1p-BJ-4 液滴中の濃度に対する磁場及び不純物効果
- 11p-R-3 高励起,不均一ストレス下でのサイクロトロン共鳴とアルヘン波
- 4p-U-13 不純物を含むゲルマニウムの電子の寿命
- 4p-U-12 高励起下Geのサイクロトロン共鳴
- 3a-D1-7 ZnをドープしたGe中の巨大電子-正孔液滴(3a D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトロン),半導体)