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金沢大工 | 論文
- 28pYW-8 工学系学部における物理教育の変遷と問題点 : 大学の物理教育調査報告 III
- 28pYW-7 理学系学部における物理教育の変遷と問題点 : 大学の物理教育調査報告 II
- 28pYW-6 大学物理教育のかかわる教育対象分野の状況 : 大学の物理教育調査報告 I
- MnのESRによるカルコゲナイド非晶質半導体の研究
- 30a-F-4 スパッターa-Si,GDa-Si:H,GDa-Si:H,Fにおける光検波ESR
- 22a-G-2 シリコン中のボロン・アクセプタのg-値の一軸性応力依存性
- 応用(2)エルビウム(Er)による1.5ミクロン帯発光 (アモルファス半導体と関連物質--乱れた系、アモルファス半導体、微結晶半導体 特集号) -- (2.アモルファスシリコン系)
- 31p-F-4 aーGeN:HのNMR
- アモルファスシリコンの光劣化のメカニズム
- J. D. Joannopoulos and G. Lucovsky 編: The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon, 2; Electronic and Vibrational Properties, Springer-Verlag, Berlin and New York, 1984, xiv+360ぺージ, 24×16.5cm, DM118 (Topics in Applied Physics, Vol. 56).
- 4a-A-1 a-SiにおけるSi-P複合欠陥の電子状態
- 1p-PS-21 Si系アモルファス半導体のフォノン状態密度(II)
- 12p-D-15 Siアモルファス半導体のフォノン状態密度
- 27a-SB-9 a-Siおよびa-Geの欠陥の電子状態
- 30a-B-3 a-Si:H, a-Si:H:Fの核磁気緩和
- 31a-F-4 磁気共鳴
- 30a-F-14 a-Si_C_x:Hの^1HのNMR
- 30a-F-3 a-Siにおける欠陥の電子状態
- シリコン系アモルファス半導体の欠陥とESR()
- 4a-NL-11 a-Si:H,a-Si:H:FのNMR--motional narrowing--
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