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都立科技大工 | 論文
- 薄膜・表面
- 29a-S-3 a-Si:Hにおける水素を近傍にもつダングリングボンドの構造
- 31p-F-2 aーSi:H/a-Si_3N_4:H超格子膜のESR
- 29p-B-4 a-Si_Au_x:HにおけるODMR,ESR,光誘起吸収
- 4a-D-1 a-Si_Au_x2:H薄膜の光学的性質
- 3a-A2-12 a-Si:Hのアニール効果
- 30p-A-9 多結晶シリコンの電子輸送現象
- 過冷却シリコンの重直分光放射率とその熱放射機構
- 24pWG-5 散逸標準写像の位相構造
- 薄膜・表面
- 薄膜・表面
- 酸素分圧によるシリコン融液の表面張力制御の限界 : バルク結晶成長III
- B312 溶融半導体シリコンにおけるマランゴ二対流の不安定性
- D311 特性曲線法による実在気体中の爆風
- シリコン液柱における高Ma数振動マランゴニ対流不安定性の周方向対称性
- 5041 ハーフゾーン液柱内温度差マランゴニ対流の線形安定性における自由表面局在化の効果(J09-2 熱流体輸送および反応流の実験的及び数値的解析(2),J09 熱流体輸送および反応流の実験的及び数値的解析)
- 赤外線イメージ炉を用いたシリコン単結晶育成と成長縞に及ぼす雰囲気酸素分圧効果(半導体結晶成長III)
- 自由表面を局在化したハーフゾーンにおける温度差マランゴニ対流の不安定性メカニズム
- 22pH-12 ドリフト軌道マッピングにおける弱い散逸の影響
- 26pA8p イオンシースにおける非線形現象の微値シミュレーション(プラズマ基礎/壁相互作用)