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筑波大院数物 | 論文
- MONOS型メモリの電荷蓄積機構の理論的研究(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 27pVE-8 極低温近接場光学顕微鏡を用いた2次元電子系境界の光応答マッピング(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aPS-26 La_Sr_xCuO_4単結晶の磁場中比熱による超伝導ゆらぎの解析
- 30aYG-10 パリレン絶縁膜を用いた立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体MISデバイスの電場誘起ESR(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30aYG-9 立体規則性ポリヘキシルチオフェンMISデバイスにおける電場誘起ESRの温度依存性(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aTB-4 立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体におけるアンバイポーラキャリアのESR観測 : PCBM濃度依存性(20aTB 導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aTB-3 Si基板上に作成した高分子MIS-FETデバイスにおける電場誘起ポーラロンのESR観測(20aTB 導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pTF-12 立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体を用いたMISデバイスにおけるアンバイポーラキャリアのESR観測(TTF-TCNQ,中性イオン性転移高分子等,領域7,分子性固体・有機導体)
- 22aRC-6 立体規則性ポリオクチルチオフェン中の電場誘起ポーラロンのESR観測(導電性高分子・分子デバイス,領域7,分子性固体・有機導体)
- 19pRG-13 立体規則性ポリヘキシルチオフェンのトップコンタクト型MIS-FET特性と電場誘起ESR観測(金属架橋・結晶成長・高分子,領域7,分子性固体・有機導体)
- 19pRG-14 ESR法による高分子MISデバイス界面における分子配向評価 : 基板平滑度依存性(金属架橋・結晶成長・高分子,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25aYF-11 立体規則性ポリアルキルチオフェン薄膜・デバイス中のポーラロンのスピン間相互作用(25aYF π-d系,高圧物性,導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 2A05 キュービック液晶BABH(n)の圧力下の相転移現象(物理・物性)
- ac Calorimetry and EPR Study on Metal-Insulator Transition and Glass Transition in an Organic Conductor with Double-Column Structure, (DIMET)_2BF_4 : Condensed Matter: Electronic Properties, etc.
- 24aYH-11 四核スピンクロスオーバー錯体[Fe_4(CN)_4(bpy)_4(tpa)_2](PF_6)_4の光誘起状態の励起波長依存性と生成緩和ダイナミクス(光誘起相転移,領域5,領域7合同講演,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pPSA-26 スピンクロスオーバー錯体[Fe_4(CN)_4(bpy)_4(tpa)_2](PF_6)_4の光誘起状態の生成緩和ダイナミクス(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 27pVE-12 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトル(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aYK-5 二次元電子系発光ピーク分裂エネルギーの電子密度依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pTG-7 低電子密度領域二次元電子系発光による電子・正孔有効質量の増大の検出(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTG-8 非ドープGaAs量子井戸の中性励起子と荷電励起子(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
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