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筑波大院数物 | 論文
- 24aYE-1 プロトン伝導体K_3H(SeO_4)_2のSeO_4四面体の動的振る舞いII(誘電体(水素結合),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 22pYG-14 (DIMET)_2I_3の金属-絶縁体転移
- 25p-N-6 (DMET)_2I_3の強磁場電子状態
- 25p-N-5 (DMET)_2BF_4,(DMET)_2ClO_4のacカロリメトリー
- 27pTE-5 分子ナノドメインのSTM探針による操作(27pTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pPSB-7 InGaAs量子ドットにおけるフォトンエコー(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 27pYG-5 微細加工したAl薄膜試料の電流-電圧特性(微小金属/超伝導体/ジョセフソン結合)(領域4)
- Π共役系保護基を有するAuナノ粒子を用いた二重トンネル接合の抵抗値(材料デバイスサマーミーティング)
- Π共役系保護基を有するAuナノ粒子を用いた二重トンネル接合の抵抗値(材料デバイスサマーミーティング)
- Π共役系保護基を有するAuナノ粒子を用いた二重トンネル接合の抵抗値(材料デバイスサマーミーティング)
- 21aXF-4 InP量子ドットにおけるスピン緩和II(表面・微粒子・ナノ結晶・低次元,領域5(光物性))
- 25aYF-6 高圧下(P>3GPa)におけるTTF-TCNQの輸送現象(25aYF π-d系,高圧物性,導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
- Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
- 21aYF-11 電子ガス・量子ドット結合系における電子状態(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- SiO_2に埋め込まれたフローティングゲートへの多電子注入機構の提案(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 27a-A-7 帯融解精製したビフェニルの低温熱容量
- Ag(110)p(1x2)-0の角度分解光電子分光III
- クーロンブロッケードエレクトロンシャトル素子におけるシャトル電流efの観察(有機材料・一般)
- カドミウムカルコゲニド半導体ナノ粒子の合成
- 金属/high-k絶縁膜構造トランジスタにおいて金属結晶が閾値電圧ばらつきに及ぼす影響とその抑制(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
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