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筑波大学物質工 | 論文
- 29a-L-5 層状超伝導体の磁場侵入深さの直接測定
- 4p-H-7 イオン注入NbSe_2の超伝導特性
- 25pYP-4 As^+イオン注入によりSi基板中に導入された反跳酸素と空孔型欠陥の検出
- 23pYH-9 陽電子消滅を用いたダイヤモンドの格子欠陥の荷電状態の分析
- SiC/Si界面のボイド欠陥発生の陽電子消滅法による観察 : エピタキシャル成長IV
- 低速陽電子によるP注入SiCの欠陥検出と焼鈍特性の研究 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
- 陽電子寿命 - ドップラー拡がり相関測定によるポジトロニウムと分子の反応の解析
- 対向型陽電子消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作
- 陽電子消滅による高分子のガラス転移と緩和現象の検出
- 表面近傍での陽電子の基本的挙動とそれらを利用した材料評価
- 陽電子消滅による高分子材料の評価
- 6a-M-9 ジョセフソンプラズマとそのギャップ生成機構
- 29p-APS-26 重い電子系UGe_2のドハース・ファンアルフェン効果
- 2a-D-5 チャネリング条件での10-20MeV He^のSiによる後方散乱スペクトル
- 5p-PS-23 Bi-Pb-Ca-Sr-Cu-O系超伝導体の物性測定
- 陽電子ビーム1.低速陽電子ビームの発生
- 28a-HE-1 光励起による非平衡超伝導の観測
- 30p-H-3 非平衡超伝導における準粒子の光励起とトンネル注入の比較
- 19pTK-4 走査型SQUID顕微鏡による磁性超伝導体RENi_2B_2C(RE=Ho,Er)の量子磁束観察
- 19pTK-2 走査型SQUID顕微鏡によるNb Diskの量子磁束観察