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筑波大学大学院数理物質科学研究科 | 論文
- Hf系絶縁膜中の水素原子の原子レベルの挙動の理論的研究 : ホールを起源とした絶縁破壊のメカニズム(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- HfO_2系high-kゲート絶縁膜信頼性劣化の物理モデル(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 20aHQ-12 第一原理電子ダイナミクス計算によるコヒーレントフォノン生成機構の解明(20aHQ 超高速現象・量子井戸,領域5(光物性))
- ポルフィリン自己組織化単分子膜によるペンタセンTFTの接触抵抗の低減(材料デバイスサマーミーティング)
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- SiO_2に埋め込まれたフローティングゲートへの多電子注入機構の提案(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- ポルフィリン自己組織化単分子膜によるペンタセンTFTの接触抵抗の低減(材料デバイスサマーミーティング)
- On generic automorphisms of a tree structure (New developments of independence notions in model theory)
- 25pB12P 光学システムを備えたマイクロ波反射計のシミュレーションによるプラズマ計測(プラズマ計測, (社) プラズマ・核融合学会第21回年会)
- 30aSB-1 一次元競合系A_2Cu_2Mo_3O_(A=Rb,Cs)の磁性の圧力変化(30aSB 量子スピン系(一次元系),領域3(磁性,磁気共鳴))
- A-1-31 画像圧縮用ニューラルネットワーク LSI : ν-MOS を用いた画像圧縮回路
- 26pA-6 実時間位相制御原子ホログラフィー
- A note on lowness for Robinson theories (New developments of independence notions in model theory)
- メタンの酸化リフォーミング反応におけるNi触媒への微量Ptの表面修飾効果 : バイメタル微粒子の構造とホットスポット生成抑制
- メタンの酸化リフォーミング反応における触媒層温度分布観測 : Ni触媒の高い燃焼活性発現機構
- 22pTG-2 グラファイト上 ^3He 固相薄膜の熱緩和 II
- 30pZC-1 グラファイト上 ^3He 固相薄膜の熱緩和
- 19aWB-5 グラファイト上^3He単原子層固相の吸着構造
- 24aW-9 第一原理分子動力学法によるメタノール合成反応の研究(II)
- 31p-S-9 第一原理計算によるZn蒸着Cu表面上でのCO_2とH_2からのメタノール合成反応の研究