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立命館大学COE推進機構 | 論文
- カーボンナノチューブ量子ドットのテラヘルツ光応答(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 異種基板上へのカーボンナノチューブ量子ドットの作製と評価
- 14pYB-8 単層カーボンナノチューブ量子ドットの励起スペクトル(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
- 30aYA-12 単層カーボンナノチューブ量子ドットにおけるShell Fillingとゼーマン分裂の観測(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
- カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
- 28aYH-5 単電子トランジスタの電磁場環境問題
- 20aYH-6 量子ドットやドット列におけるフラクタル的な磁気抵抗
- 18pYJ-4 マルチ結合量子ドットにおける伝導度ゆらぎ
- 28aYX-10 多層カーボンナノチューブの1次元伝導 II
- 28aYS-9 ドットアレイにおける閉じ込め効果
- 27aTC-10 量子ドット列における低温磁気抵抗のフラクタル性
- ECR-MBE法による加工基板上InNナノドットの配列・サイズ制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ECR-MBE法による加工基板上InNナノドットの配列・サイズ制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ECR-MBE法による加工基板上InNナノドットの配列・サイズ制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 規制緩和に伴う新規参入事業者と公営バス事業者の対応 : 京都市を事例として
- 選手の能力を把握する : 名指揮官の条件(リサーチ最前線)
- 凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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