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立命館大学理工学部電子光情報工学科 | 論文
- マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法によるr面 (10-12) Sapphire 基板上半極性面InNの結晶成長
- マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析
- 立命館大学ローム記念館太陽光発電システムの発電効率の検証
- C-3-55 半導体ファイバオプティックジャイロ(S-FOG)におけるSagnacビートスペクトル線幅と共振器長との関係(光記録・記測,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-53 S-FOGによる新しいサニャック効果理論の検証(光記録・記測,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- アモルファスシリコン//多結晶シリコンタンデム太陽電池
- マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- C-3-23 半導体ファイバオプティックリングレーザジャイロにおけるウィンキング現象とその共振器面積依存性(光記録・計測(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 高温熱処理によるZnF_2 : Gd紫外発光EL素子の発光特性と紫外EL/PLフルカラーディスプレイの性能改善
- 01aB04 MBE法による窒化β-Ga_2O_3基板上への六方晶GaN成長(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
- RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 創造の神プロメテウスからの警鐘
- Karl W. Boer 賞受賞記念講演
- 序論 : 太陽光発電産業の第2世代を迎えて
- 太陽光発電の現状とその将来展望
- RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 : 配列制御InNナノコラム成長について(窒化物及び混晶半導体デバイス)