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科技機構:物材機構 | 論文
- 26pRJ-12 第一原理計算によるSi原子鎖へのPドーピングの効果(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSB-27 PドープされたSi原子細線の電子状態と電気伝導特性(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aPS-17 C_単分子層膜中での分子間結合の局所制御(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYE-6 第一原理計算によるC_分子の重合・脱重合反応過程の解明(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYE-5 STM探針によるC_分子の局所重合および脱重合反応の制御(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-4 Lippmann-Schwinger方程式を用いた半無限系固体表面の電子状態計算手法の開発
- 26aPS-6 Lippmann-Schwinger方程式を用いた半無限系固体表面の電子状態計算手法の開発
- 15aPS-74 第一原理計算によるアルカリ金属ナノワイヤーの電気伝導特性(領域 9)
- 20aPS-43 C_単層膜にドープされたアルカリ金属の安定性(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aPS-13 第一原理計算による有限電場中のC_分子と薄膜の電子状態(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aPS-4 Si(111)4×1-In表面上銀ストライプ構造のSTM観察における電子状態の影響(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pYE-3 Si(111)-4×1-In上に低温成長したAg薄膜のストライプ構造とその膜厚依存性(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pWP-1 ピーナッツ型C_分子の電子状態とその一次元鎖の電気伝導特性II(ナノチューブ・ナノワイヤ)(領域9)
- 20pYE-11 ピーナッツ型 C_ 分子の電子状態とその一次元鎖の電気伝導特性
- 31aZF-5 有限電圧下のナノワイヤーにおける負の微分コンダクタンス発生メカニズムの解明
- 28pPSB-52 金原子細線の電気伝導特性
- ナノ構造の電気伝導特性
- 20aWD-2 金原子細線の電気伝導
- 20aWD-1 アルカリ金属ナノワイヤーの電子状態と電気伝導特性の第一原理計算
- 25pWD-6 積分方程式を用いた方法による原子架橋の電子状態計算
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