スポンサーリンク
産業技術総合研究所強相関電子研究センター | 論文
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(新メモリ技術とシステムLSI)
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術
- ペロブスカイト型酸化物ヘテロ接合の抵抗スイッチング・メモリ(New Materials and Processes, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 遷移金属酸化物接合の電界誘起抵抗スイッチング : RRAMの動作メカニズム解明を目指して(新型不揮発性メモリ)
- ペロブスカイト型Mn酸化物Gd_Sr_MnO_3における超高速スピンダイナミクス(磁気物理)
- 正規分布形状STJを用いたコイル集積型超伝導X線検出器の作製
- ペロブスカイト型酸化物界面の抵抗スイッチング効果
- ペロブスカイト型酸化物ヘテロ接合の抵抗スイッチング・メモリ(New Materials and Processes, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 遷移金属酸化物接合の電界誘起抵抗スイッチング : RRAMの動作メカニズム解明を目指して