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理化学研究所半導体工学研究室 | 論文
- 異種基板上へのカーボンナノチューブ量子ドットの作製と評価
- カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
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- 31p-ZB-7 絶縁体^Ge:Gaにおける局在長の臨界指数
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- 25a-YG-13 磁場中における^Ge:Gaの金属-絶縁体転移
- 25a-YG-12 Ge:GaのMI転移臨界領域における電気伝導
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- 6a-N-1 ^Ge:Gaにおける広域ホッピング伝導
- 31a-ZB-5 連結型結合ドットの基礎物性
- 31a-ZB-5 連続型結合ドットの基礎物性
- 半導体中の電子はどのように遍歴化するか? : モット・アンダーソン転移の臨界指数
- 22pL-8 磁場中における^Ge:Gaの金属-絶縁体転移点近傍での広域ホッピング伝導
- 27pD-7 酸化ルテニウム温度計の低温における磁気抵抗
- エキシマレーザによるマイクロプロセス(精密工学の最前線)
- 22aTH-13 アンチドットに束縛させたエッジ状態を利用した単電子輸送
- ナノ構造における電子輸送(サブゼミ誘電体,第39回 物性若手夏の学校,講義ノート)
- 半導体が波を感じるとき - 量子化素子とは何か -
- メゾスコピック構造の電気伝導