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独立行政法人産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門 | 論文
- ミニマルファブによる半導体工場イノベーション
- ジョセフソン素子と準粒子トンネル素子のセンサ応用 (小特集 量子限界への扉を開くジョセフソン効果 : 発見から50年,その基礎と応用)
- 3.ジョセフソン素子と準粒子トンネル素子のセンサ応用(量子限界への扉を開くジョセフソン効果-発見から50年,その基礎と応用-)
- 1-3 22nm以細対応マルチゲートFinFETデバイス技術(1.CMOS技術の最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
- 2-3 抵抗変化メモリReRAMの技術開発最新動向(2.不揮発性メモリ技術の最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
- 2. 国産FPGA技術の展望(転換期に来たシステムLSI技術と将来への展望)
- LSI産業を変えるミニマルファブ構想の進展
- 抵抗変化メモリReRAMの技術開発最新動向
- 4. 機能性酸化物を用いた不揮発性メモリRRAM : メモリ動作の信頼性向上を目指して(酸化物エレクトロニクスの進展と将来展望)