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物質・材料研究機構 先端材料プロセスユニット 超高圧グループ | 論文
- 高圧気体封入技術を用いた窒化物結晶合成
- 第19回高圧力の科学と技術に関する国際会議(AIRAPT-19) 報告
- 高純度・超微粒立方晶窒化ホウ素焼結体の高圧合成 その2
- 非晶質BNからの微粒cBN燒結体の合成
- 超高圧を用いた物質合成--窒化ホウ素単結晶,焼結体の高圧合成 (特集 「超」のつく技術)
- 高圧温度差法による立方晶BN単結晶育成(バルク窒化物半導体)
- 大容量超高圧合成装置の高温下の圧力補正
- 機械的はく離法で作成した六方晶系窒化ホウ素(hBN)薄膜の評価
- 窒化ホウ素単結晶の高圧合成(高圧力下での結晶成長)
- 超硬質物質 : 立方晶窒化ホウ素
- 超硬質物質:立方晶窒化ホウ素(教科書から一歩進んだ身近な製品の化学)
- 12 高温高圧環境下におけるアミノ酸の安定性と重合反応(一般講演,第36回学術講演会講演要旨集)
- 視点-光る BNの発光
- 25aTB-2 水素中で加圧したh-BNの振動状態(25aTB 層間化合物,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pGQ-12 イオン照射によるダイヤモンド結晶中の窒素空孔センターの生成(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 24aTE-10 水素中で加圧したh-BN、グラファイトの振動状態(24aTE グラフェン・層間化合物,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTL-9 グラフェン/h-BN量子ホール系における非局所抵抗(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- n型半導体立方晶窒化ホウ素単結晶からの電界電子放出機構(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- グラフェンの特性を生かす六方晶窒化ホウ素基板 : 六方晶窒化ホウ素応用の新展開
- バインダーレス立方晶窒化ホウ素焼結体の高圧合成
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