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沖電気工業(株)研究開発本部 | 論文
- ゲート接地型トランスファゲートを用いた高速LSI用フリップフロップ
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- 高相互コンダクタンスを有するSic基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- AlGaN/GaN HEMTの高周波特性
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