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株式会社ルネサステクノロジ:広島大学大学院先端物質科学研究科 | 論文

• ボロンガスクラスターイオンビームドーピングによるPMOSFETのエクステンション形成(半導体Si及び関連材料・評価)
• High-k/メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
• High-k/ メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性

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