スポンサーリンク
松下電子工業(株)技術本部電子総合研究所 | 論文
- 携帯電話基地局用芯数削減型SCM光伝送方式
- 減圧MOCVD法により成長した歪み緩和されたInGaNのボーイングパラメータ
- 減圧MOCVD法により成長した歪み緩和されたInGaNのボーイングパラメータ
- AlGaAs系低雑音高出力半導体レーザー - 実屈折率導波構造による低非点隔差化 -
- InAsP吸収性回折格子型利得結合DFBレーザの高出力, 狭線幅動作
- InAsP埋め込み回折格子型1.55μm帯λ/4位相シフト DFBレーザのスペクトル線幅特性
- 高出力特性1.55μm帯マストランスポート回折格子型(MTG)DFBレーザ
- C-4-18 InAsP埋め込み回折格子型狭線幅DFBレーザのFM変調特性
- テーパ活性ストライプを有する狭放射角DFBレーザ
- テーパ活性ストライプ型DFBレーザの狭放射角特性
- テーパ活性ストライプ型DFBレーザの狭放射角特性
- InAsP吸収性回折格子型利得結合 DFBレーザの広温度範囲低変調歪特性
- B-10-55 ATM-PON用受発光モジュールの低クロストーク化
- 低しきい値、高効率特性テーパ活性ストライプ型1.3μm帯狭放射角レーザ
- 低しきい値、高効率特性テーパ活性ストライプ型1.3μm帯狭放射角レーザ
- 低しきい値、高効率特性テーパ活性ストライプ型1.3μm帯狭放射角レーザ
- 低しきい値、高効率特性テーパ活性ストライプ型1.3μm帯狭放射角レーザ
- C-4-30 転写プロセスによって接着されたInGaAsPフィルタを有する1.55μmパスバンドPD