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松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター | 論文
- 拡張ロードプル法を用いた広負荷インピーダンス対応低歪み・高効率GaAs電力増幅器MMICの設計
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- 窒化物半導体への局在バンド導入によるアクセプタ活性化の新手法(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 窒化物半導体への局在バンド導入によるアクセプタ活性化の新手法
- 無極性(11-20)面上に形成されたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタのノーマリオフ動作(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- SC-10-5 チップサイズパッケージを用いた準ミリ波帯完全集積化MMIC技術(SC-10.無線通信・レーダセンサの世界を拓くミリ波デバイス・回路と関連技術)
- チップサイズパッケージを用いた完全集積化Kバンド広帯域MMIC増幅器
- 窒化物半導体への局在バンド導入によるアクセプタ活性化の新手法(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 移動体通信低電圧GaAsパワーMMICs
- SC-7-6 温特補償バイアス回路を有するW-CDMA用 高効率 HBT MMIC
- 準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
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