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松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター | 論文
- AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
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- SC-6-2 熱酸化プロセスのAlGaN/GaN系ヘテロ接合FETへの応用
- PdSiゲートAlGaN/GaN HEMTの特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)