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松下電器中研 | 論文
- 10p-R-10 磁場中のホッピング伝導へのクーロン・ギャップの効果
- 6p-U-2 反強磁性半導体の輸送現象
- 12p-F-9 広いバンドをもつ反強磁性半導体の輸送現象
- Geのthermal defets II : 格子欠陥
- 4)短波長記録機構の一考察(第18回 VTR研究委員会)
- 1)2周波による磁気記録ひずみの測定(第14回VTR研究委員会)
- 高周波における金属磁性材料の問題点
- CdS0.2Se0.8薄膜を用いた高速密着型イメ-ジセンサ (電子部品-1-) -- (OA用部品)
- 表面反転層を利用した応用抵抗効果 : 半導体(Device(応力効果, その他)
- pn接合の特異な尖端応力効果 : pn接合の応力効果シンポジウム
- 3次元ナノテクスチャー表面をれもつサファイア単結晶基板上の表面プラズモン共鳴
- 有限要素法を用いた3次元電磁界固有値計算法によるマグネトロン共振器の解析 (電界・磁界解析技術)
- 研究の愉しさ
- 19・7 マイクロ・ナノメカトロニクス/MEMS・NEMS(19.情報・精密機械,機械工学年鑑)
- 6p-PS-29 金-GdBaCuO多層膜超伝導体の磁気特性
- 2a-C-1 高圧溶融法ZnSeの易動度
- T1601-1-4 非鉛系KNN圧電薄膜を用いたカンチレバー型アクチュエータの作製([T1601-1]マイクロナノメカトロニクス(1))
- 8a-B-11 CdSの放射線照射効果I
- 3)電子チューナーの全電子式論理制御方式(第38回テレビジョン方式・回路研究会)
- 反応性スパッターによるMOS構造の界面現象