論文relation
表面反転層を利用した応用抵抗効果 : 半導体(Device(応力効果, その他)
スポンサーリンク
概要
論文の詳細を見る
社団法人日本物理学会の論文
1966-03-31
著者
由上 登
松下電器中研
富岡 辰行
松下電器中研
関連論文
CdS0.2Se0.8薄膜を用いた高速密着型イメ-ジセンサ (電子部品-1-) -- (OA用部品)
表面反転層を利用した応用抵抗効果 : 半導体(Device(応力効果, その他)
pn接合の特異な尖端応力効果 : pn接合の応力効果シンポジウム
スポンサーリンク
論文relation | CiNii API
論文
論文著者
博士論文
研究課題
研究者
図書
論文
著者
お問い合わせ
プライバシー